분류 전체보기140 12.3) The anomalous Zeeman effect 수소 원자를 균일한 자기장에 넣었을 때, 자기장에 의한 Hamiltonian은 다음과 같다. 만약 스핀을 고려하지 않는다면, 실제로는 $\vec{L}=0$인 경우에도 energyshift가 발생한다. 이를 anomalous Zeeman effect라 하며, 이는 spin angular momentum에 의한 것이다. 이제 스핀을 고려한 경우에 자기장에 의한 Hamiltonian을 생각하자. * Order of magnitude 구하여 perturbation hierarchy 고려해야 한다. (perturbation의 eigenstate와 연관되기에 중요) 일반적으로 $ \hat{H}_{SO} \simeq \hat{H}_{Re} \gg \hat{H}_{B}$ 이므로, 위의 Hamiltonian $\hat{.. 2023. 5. 29. Developer: TMAH vs KOH 보호되어 있는 글 입니다. 2023. 5. 17. Conformality Conformality → ALD >> PECVD >> Sputter >>> Evaporation Transport of reactants to the substrate Case 1: direct $\left( S_c=1\right)$ Case 2: re-emission $\left( S_c 2023. 5. 16. Writefield alignment E-beam 으로 그릴 때, E-beam defraction 이용시 gun이나 stage를 움직이지 않고 patterning이 가능하다. 이때 stage를 움직이지 않았을때 한번에 그릴 수 있는 최대 영역을 writefield라 한다. 각 경우에 따른 패턴의 결과는 아래와 같다. 2023. 5. 16. Undercut profile of ER in nanofabrication Lift off using (single layer) negative resist is very challenging for two reasons. The resist profile is tapered with wider opening due to electron forward scattering, which leads to film coating on the side wall and thus makes a clean lift off difficult. Common negative resists such as polystyrene and SU-8 becomes cross-linked and insoluble upon exposure, and thus a strong chemical must be used.. 2023. 5. 16. Sensitivity, Contrast 1. Sensitivity, Contrast Lithography를 학습 하다보면 헷갈리는 용어 두개가 등장한다. 바로 Sensitivity와 Contrast이다. 이를 구분할 수 있으면 패턴을 만드는데 큰 도움이 될 것이다. 우선 아래의 그림을 한번 보자. 위 그림은 positive PR(또는 ER)을 기준으로 그린 것으로, PR(또는 ER)에 입사되는 전자의 dose에 따라 thickness의 변화를 보여준느 그래프이다. 이상적인 경우(검은색 선)는 당연 특정 임계값을 경계로 resist가 모두 사라지거나, 하나도 사라지지 않는, 즉 step function과 같은 양상을 보이는 경우일 것이다. (이때는 PR이 변형되지 않고 그대로 남아있는 Dose의 최대값 $D_{1}$과, PR(또는 ER)이 모두.. 2023. 5. 16. Proximity effect For EBL, Proximity effect is inevitable → Especially for negative-tone resist, the back scattering of electron form substrate into resis will leads to bridging among the ____ pattern Thinner resist layers improve the resolution that can be achieved with HSQ asa high-resolution e-beam resist. The proximity effect in electron beam lithography (EBL) is the phenomenon that the exposure dose distribu.. 2023. 5. 16. Order parameter dynamics 최근 논문이나 글을 볼때 order parameter라는 말이 자주 등장하길래 뭔가 해서 검색해봤습니다. 2023. 5. 10. ALD (Atomic Layer Deposition) ALD (Atomic Layer Deposition)은 서로 다른 2개의 precursor를 사용하여 적층하는 공정이다 precursor1이 한층 쌓이면, 그 층 위에 precurosr1은 더 이상 적층되지 않고 precursor2가 한층 쌓인다. 이때 해당 층 위에는 더 이상 precursor2가 적층되지 않고, 다시 precursor1이 적층이 되는데, 이 과정이 계속 반복되어 적층이 이루어진다. 예를 들어 다음의 과정을 본다. 여기서 CH4는 byproduct이다. ALD는 한 싸이클당 1옴스트롱(한층)이 적층되는 공정이므로 매우 낮은 throughput을 가진다. 하지만 이하의 장점 떄문에 사용된다. 단차피복(Step Coverage)이 좋다. Digital Thickness control to .. 2023. 5. 4. 이전 1 ··· 5 6 7 8 9 10 11 ··· 16 다음
