ALD (Atomic Layer Deposition)

ALD (Atomic Layer Deposition)은 서로 다른 2개의 precursor를 사용하여 적층하는 공정이다

 

precursor1이 한층 쌓이면, 그 층 위에 precurosr1은 더 이상 적층되지 않고 precursor2가 한층 쌓인다. 이때 해당 층 위에는 더 이상 precursor2가 적층되지 않고, 다시 precursor1이 적층이 되는데, 이 과정이 계속 반복되어 적층이 이루어진다.

예를 들어 다음의 과정을 본다.

여기서 CH4는 byproduct이다.

ALD는 한 싸이클당 1옴스트롱(한층)이 적층되는 공정이므로 매우 낮은 throughput을 가진다.

하지만 이하의 장점 떄문에 사용된다.

• 단차피복(Step Coverage)이 좋다.
• Digital Thickness control to the atomic level (Also perfect 3D conformality)
• Pinhole-Free films over large areas
• Large area thickness conformality
• Excellent Repeatability
• No sensitive to temperature
• Low defect density
• Insensitive to dust
• Standard recipes for oixdes, nitrides, metals, semiconductors
• Low temperature deposition possible