반도체 공정& 소자/Lithography4 Writefield alignment E-beam 으로 그릴 때, E-beam defraction 이용시 gun이나 stage를 움직이지 않고 patterning이 가능하다. 이때 stage를 움직이지 않았을때 한번에 그릴 수 있는 최대 영역을 writefield라 한다. 각 경우에 따른 패턴의 결과는 아래와 같다. 2023. 5. 16. Sensitivity, Contrast 1. Sensitivity, Contrast Lithography를 학습 하다보면 헷갈리는 용어 두개가 등장한다. 바로 Sensitivity와 Contrast이다. 이를 구분할 수 있으면 패턴을 만드는데 큰 도움이 될 것이다. 우선 아래의 그림을 한번 보자. 위 그림은 positive PR(또는 ER)을 기준으로 그린 것으로, PR(또는 ER)에 입사되는 전자의 dose에 따라 thickness의 변화를 보여준느 그래프이다. 이상적인 경우(검은색 선)는 당연 특정 임계값을 경계로 resist가 모두 사라지거나, 하나도 사라지지 않는, 즉 step function과 같은 양상을 보이는 경우일 것이다. (이때는 PR이 변형되지 않고 그대로 남아있는 Dose의 최대값 $D_{1}$과, PR(또는 ER)이 모두.. 2023. 5. 16. Proximity effect For EBL, Proximity effect is inevitable → Especially for negative-tone resist, the back scattering of electron form substrate into resis will leads to bridging among the ____ pattern Thinner resist layers improve the resolution that can be achieved with HSQ asa high-resolution e-beam resist. The proximity effect in electron beam lithography (EBL) is the phenomenon that the exposure dose distribu.. 2023. 5. 16. Photolithography (노광공정) 노광공정은 크게 다음의 과정을 합친것을 총칭한다. Cleaning wafers → Depositing barrier layer → Coating with photoresist → Soft baking → Aligning masks → Exposing pattern → Developing photoresists → Hard baking → Etching → Removing photoreists(Developing) 이 과정을 하나씩 살펴본다. 1. Cleaning wafers 기본적으로 Hydrofluoric acid(불산), 혹은 DI Water(증류수)를 이용하여 세척한다. 2. Depositing barrier layer SiO2, Si3N4, metal, polysilicon, photoresist.. 2021. 5. 18. 이전 1 다음
