반도체 공정& 소자23 Thin Film 보호되어 있는 글 입니다. 2024. 2. 6. Lift-Off 보호되어 있는 글 입니다. 2024. 1. 8. unconventional nanopatterning method unconventional nanopatterning methods for cost-effective and simple integration of STTMRAM for high-density memory arrays the deposition of pMTJ stack (i) on pre-patterned non magnetic conducting nano-pillars with undercut and (ii) in pre-patterned nano-holes with collimator structure. The first method consists in depositing the MTJ stacks on pre-patterned non-magnetic conducting pillars with un.. 2023. 6. 27. Epitaxial graphene growth on silicon carbide (SiC) 참고문헌 [1] Epitaxial graphene growth on silicon carbide, Wikipedia 이번 과제에서 substrate가 SiC위에 graphene을 MBE 성장시킨 기판이길래 정리하고자 합니다. Thermal deposition을 통해 SiC위에 그래핀을 성장시키는 방법은 large-scale few-layer graphene (FLG)를 만드는데 사용된다. 그래핀은 전도유망한 나노물질 중 하나로, 이는 그래핀의 강력한 stiffness, 그리고 전기전도성, 열 전도도 때문이다. 아직, 그래핀의 복제 가능한 생성은 어려운 형편이며, 수많은 방법들이 개발됐다. 다른 여러 기술들과 비교했을때 SiC위에 epitaxial 그래핀을 성장시키는 것의 주요 이점은 그래핀 layer를 .. 2023. 6. 26. 반도체 마인드맵 2023. 6. 1. Developer: TMAH vs KOH 보호되어 있는 글 입니다. 2023. 5. 17. Conformality Conformality → ALD >> PECVD >> Sputter >>> Evaporation Transport of reactants to the substrate Case 1: direct $\left( S_c=1\right)$ Case 2: re-emission $\left( S_c 2023. 5. 16. Writefield alignment E-beam 으로 그릴 때, E-beam defraction 이용시 gun이나 stage를 움직이지 않고 patterning이 가능하다. 이때 stage를 움직이지 않았을때 한번에 그릴 수 있는 최대 영역을 writefield라 한다. 각 경우에 따른 패턴의 결과는 아래와 같다. 2023. 5. 16. Undercut profile of ER in nanofabrication Lift off using (single layer) negative resist is very challenging for two reasons. The resist profile is tapered with wider opening due to electron forward scattering, which leads to film coating on the side wall and thus makes a clean lift off difficult. Common negative resists such as polystyrene and SU-8 becomes cross-linked and insoluble upon exposure, and thus a strong chemical must be used.. 2023. 5. 16. 이전 1 2 3 다음
