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반도체 공정& 소자23

Sensitivity, Contrast 1. Sensitivity, Contrast Lithography를 학습 하다보면 헷갈리는 용어 두개가 등장한다. 바로 Sensitivity와 Contrast이다. 이를 구분할 수 있으면 패턴을 만드는데 큰 도움이 될 것이다. 우선 아래의 그림을 한번 보자. 위 그림은 positive PR(또는 ER)을 기준으로 그린 것으로, PR(또는 ER)에 입사되는 전자의 dose에 따라 thickness의 변화를 보여준느 그래프이다. 이상적인 경우(검은색 선)는 당연 특정 임계값을 경계로 resist가 모두 사라지거나, 하나도 사라지지 않는, 즉 step function과 같은 양상을 보이는 경우일 것이다. (이때는 PR이 변형되지 않고 그대로 남아있는 Dose의 최대값 $D_{1}$과, PR(또는 ER)이 모두.. 2023. 5. 16.
Proximity effect For EBL, Proximity effect is inevitable → Especially for negative-tone resist, the back scattering of electron form substrate into resis will leads to bridging among the ____ pattern Thinner resist layers improve the resolution that can be achieved with HSQ asa high-resolution e-beam resist. The proximity effect in electron beam lithography (EBL) is the phenomenon that the exposure dose distribu.. 2023. 5. 16.
ALD (Atomic Layer Deposition) ALD (Atomic Layer Deposition)은 서로 다른 2개의 precursor를 사용하여 적층하는 공정이다 precursor1이 한층 쌓이면, 그 층 위에 precurosr1은 더 이상 적층되지 않고 precursor2가 한층 쌓인다. 이때 해당 층 위에는 더 이상 precursor2가 적층되지 않고, 다시 precursor1이 적층이 되는데, 이 과정이 계속 반복되어 적층이 이루어진다. 예를 들어 다음의 과정을 본다. 여기서 CH4는 byproduct이다. ALD는 한 싸이클당 1옴스트롱(한층)이 적층되는 공정이므로 매우 낮은 throughput을 가진다. 하지만 이하의 장점 떄문에 사용된다. 단차피복(Step Coverage)이 좋다. Digital Thickness control to .. 2023. 5. 4.
Chemical Vapor Deposition Types of CVD Properties Advantages Disadvantages APCVD - 76~760 Torr - Chemical raction by thermal energy - Used in SiO2 deposition - Coldwall Reactor - Low temperature - Simple reactor - Fast Deposition Rate (70nm/min) - Poor step coverage - 다량의 Carrier gas waste - Particle Contamination - Low throughput (cause of wafer loading) - Frequent Cleaning Required LPCVD - Low pressure (0.25~2Torr) - 1.. 2023. 5. 4.
Delta Mode Keithely는 delta mode를 처음으로 개발하였으며, 이는 전압, 저항에 대한 low noise measurements를 Model 2182 Nanovoltmeter와 triggerable external current source로 진행하기 위함이었다. 필수적으로, delta mode는 자동저으로 current source의 signal polarity를 alternate 하게 끔 만들며, 이로 인해 nanovoltmeter는 각 polarity를 읽게된다. 이 전류 반전 기술은 constant thermoelectric offsests을 사라지게끔 하며, 결과가 오로지 전압에 의한 것임을 확신시킨다. 이 기술은 모델 시리즈 622X와 모델 2182A의 delta mode에 incorporat.. 2023. 3. 6.
반도체 공정 Outline 1. Photolithography Photolithographic Process (노광공정) 노광공정은 크게 다음의 과정을 합친것을 총칭한다. Cleaning wafers → Depositing barrier layer → Coating with photoresist → Soft baking → Aligning masks → Exposing pattern → Developing photoresists → Hard baking → Etching spin-current.tistory.com ThinFilm DMI Etch Implant Cleaning&CMP PTE 하나씩 알아가볼 예정입니다. 2022. 6. 22.
Bias Tee Bias Tee는 bias RF circuits에 DC전류 혹은 DC전압을 공급하기 위해 사용되는 component이다. Bias Tee는 3단자 소자이다. 소자의 구조는 위의 그림과 같다. Port1에 RF와 DC 모두 존재하는 신호가 들어면, Capacitor는 모든 DC 신호를 막으며 Port2에 오로지 AC/RF 신호만 통과할 수 있게 한다. 반면에 회로 안의 Inductor는 포트3으로 통과하려는 모든 RF 신호를 막으며, 오로지 DC 신호만 통과할 수 있게 만든다. 2021. 8. 25.
Introduction to Electron Beam Lithography (EBL) 참고문헌[1] Encyclopedia of Nanotechnolgy[2] Nanofabrication Using Electron Beam Lithography: Novel Resist and Applications, Arwa Abbas[3] UC Berkeley Marvell Nanofabrication Laboratory[4] Process Optimization on Raith-150 TWO E-Beam Lithography Tool for sub-100nm CMOS device fabrication  0. DefinitionEBL은 패터닝을 하는데 있어 기존의 포토리소그래피 처럼 광자를 사용하는 것이 아니라, 전자를 사용하는 기법이다. EBL은 포토리소그래피와 여러면에서 유사점을 갖고 있으며, 아래.. 2021. 8. 25.
Lithography - Etching Techniques What is Etching? : Chemical etching in liquid or gaseous form is used to remove any barrier material not protected by photoresist. Figure of Merit/ Factors affecting etch quality 1. Selectivity 얼마나 특정 물질만 선택적으로 Etching 할 수 있는가? $ Selectivity = \cfrac{Etch\, rate\, of\, material\, to\, be\, etched}{Etch\, rate\, of\, material\, not\, to\, be\, etched} $ 2. Isotropy vs Anisotropy 3. Etch rate The .. 2021. 7. 19.

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