반도체 공정& 소자23 Omnicoat: Adhesion Promoter/Release Layer 해당 게시글은 Omnicoat 게시글을 바탕으로 작성되었습니다. 옴니코트는 PR, 혹은 다른 물질을 제거(Lift Off)하기 어려울때, 이를 용이하게 해주는 물질이다. It also increases adhesion of SU-8 and SU-8 200 resists. Material Attributes - Easy, Fast, Clean,& Safe removal - Uses existing stripeers and processes - Produces a very thin film - Applied by spin coating - Adhesion prometer Benefits - Enables stripping of SU-8 and SU-8 2000 resists so that reworks ca.. 2021. 6. 28. Photoresist (PR) & E-beam resist (ER) Positive PR - Negative PR - Positive ER - Negative ER - HSQ 해당 게시글은 AZ9260 Photoresist 게시글을 바탕으로 작성되었습니다. 해당 게시글은 Merck사의 AZ P400 Series Datasheet를 기반으로 작성되었습니다. Thickness Grades - AZ P4110 : $ 1.0-3.0 \mu m $ - AZ P4210 : $ 2.0-4.0 \mu m $ - AZ P4330-RS : $ 3.0-5.0 \mu m $ - AZ P4400 : $ 4.0-6.0 \mu m $ - AZ P4620 : $ 6.0-20 \mu m $ - AZ P4903 : $ 10.0- >30 \mu m $ Typical Spin Curves 2021. 6. 28. What is Lock-in Amplifier? 해당 글은 AMETEK사의 What is Lock-in Amplifier? 글을 번역한 글입니다. In its most basic form a lock-in amplifier is an instrument with dual capability. It can recover signals in the presence of an overwhelming noise background or, alternatively, it can provide high resolution measurements of relatively clean signals over several orders of magnitude and frequency. However, modern instruments offer far more th.. 2021. 6. 10. DIBL (Drain-induced Barrier Lowering) DIBL은 Source와 Drain사이에 원치않은 전기적 상호작용이 발생하는 것을 뜻한다. DIBL이 발생할 수 있는 요소는 크게 3가지로 나눌 수 있다 MOSFET이 제대로 Scaling down 되지 않음 Drain/Source Junction이 너무 깊음 Channel Doping이 너무 낮음 이 DIBL은 다음의 상황을 야기한다. Punch-through Leakage (* Punch-through: Source와 Drain의 공핍영역이 서로 만나는 현상) Source/Drain 사이의 Breakdown Loss of Gate Control DIBL is caused by the lowering of the source-junction potential barrier below the built-.. 2021. 5. 18. Photolithography (노광공정) 노광공정은 크게 다음의 과정을 합친것을 총칭한다. Cleaning wafers → Depositing barrier layer → Coating with photoresist → Soft baking → Aligning masks → Exposing pattern → Developing photoresists → Hard baking → Etching → Removing photoreists(Developing) 이 과정을 하나씩 살펴본다. 1. Cleaning wafers 기본적으로 Hydrofluoric acid(불산), 혹은 DI Water(증류수)를 이용하여 세척한다. 2. Depositing barrier layer SiO2, Si3N4, metal, polysilicon, photoresist.. 2021. 5. 18. 이전 1 2 3 다음
