DIBL (Drain-induced Barrier Lowering)

DIBL은 Source와 Drain사이에 원치않은 전기적 상호작용이 발생하는 것을 뜻한다.

DIBL이 발생할 수 있는 요소는 크게 3가지로 나눌 수 있다

• MOSFET이 제대로 Scaling down 되지 않음
• Drain/Source Junction이 너무 깊음
• Channel Doping이 너무 낮음

이 DIBL은 다음의 상황을 야기한다.

• Punch-through Leakage (* Punch-through: Source와 Drain의 공핍영역이 서로 만나는 현상)
• Source/Drain 사이의 Breakdown
• Loss of Gate Control

DIBL is caused by the lowering of the source-junction potential barrier below the built-in potentia.

DIBL은 다음의 방법을 통해 해결이 가능하다

• 기판에 역바이어스 인가
• Heavy Channel Doping (Anti punch-through implant in the channel) (하지만 이경우 Threshold voltage를 크게 하거나 Body effect를 초래할 수도 있다.)