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MTJ10

Partial Switching 참조문헌 [1] Single-Domain Circular Nanomagnets [2] Vortex nucleation in submicrometer ferromagnetic disks, Rahm [3] Anomalous switching in submicrometer magnetic tunnel junction arrays arising from magnetic vortex and domain wall pinning, 김영근 Brown의 fundamental theorem에 따르면, 자성체 조각의 직경이 매우 작아지면 (~$10^{-8} m$) magnetostatic energy와 양자역학적 exchange energy 사이의 경쟁에 의해 domain의 형성이 완전히 억제되어 한 개의 스핀 처럼 행동한.. 2024. 3. 21.
Magnetic Tunnel Junction 참조 문헌 Spin and Charge Tunneling Transport in Magnetic Tunnel Junctions With Embedded Nanoparticles In this review we show how quasiclassical theory for point-like contacts can be adapted for spintronic device physics explaining mean free path and GMR effects in nano-scale heterocontacts, asymmetric voltage dependences of TMR in MTJs, as well as applied to modeling of zero bias TMR anomalies in M.. 2024. 3. 5.
Simulated Annealing (SA) 1. Overview In this tutorial, we’ll review the Simulated Annealing (SA), a metaheuristic algorithm commonly used for optimization problems with large search spaces. Then, we illustrate the SA optimization procedure and show how to minimize a function. 2. The Physics Behind the Algorithm SA is a metaheuristic optimization technique introduced by Kirkpatrick et al. in 1983 to solve the Travelling .. 2024. 1. 8.
자기저항 센서 참고문헌 [1] 자기저항센서의 장점, 윤진근 [2] 자기센서, 어디까지 왔나, 신현성 자기센서는 자기장 또는 자력선의 크기와 방향을 측정하는 센서다. 자기장의 영향으로 여러 가지 물질의 성질 등이 변화하는 효과를 이용하여 자기장을 측정한다. 반도체에 흐르는 전류에 대해 수직으로 자기장을 걸면 전압이 발생하는 홀 효과(Hall effect)나, 자기장의 영향으로 전기저항이 증대하는 저기저항효과 등을 이용하는 것. 이를 보통 홀 센서 또는 MR센서라고 한다. Q. 자기저항센서 사용을 통해 얻을 수 있는 장점은. 자기저항센서를 사용함에 따라 경제성이 높아진다. 매우 높은 자기 감도를 활용함으로써 감지 범위가 확장되는 것은 물론, 더 작고 낮은 강도의 자석을 사용하여 비용을 획기적으로 절감한다. 한국하니웰의 나.. 2024. 1. 3.
Boltzmann Machine Hopfiled' model (Ising model)의 경우, binary-valued states를 가진다. 즉, 그들은 "on", 또는 "off" 둘 중 하나를 가지면 이 때 connection은 bidirectional 하다. Boltzmann Machine의 connection의 강도(edge weight)는 can be considered as the desirability that the units incident with this connection are both "on". Boltzmann Machine의 unit은 그들 각가의 states에 대해서 maximal consensus를 향하는 것을 추구한다, subject to the desirabilities expressed by the.. 2023. 11. 13.
Spin-Torque Diode Effect 참조문헌 [1] Novel spintronic device concepts based on spin-gapless semiconductors and half-metallic magnets, THORSTEN UDO AULL [2] Tulapurkar, A. A. et al. Spin-torque diode effec in magnetic tunnel junctions. Nature 438, 339-342 (2005). [3] Ishibashi, S. et al. Large diode sensitivity of CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions. Appl. Phys. Exp. 3, 073001 (2010). 목차 I. Introduction II. Magnetic T.. 2023. 9. 19.
GMR과 TMR의 차이 참조문헌 1. Back to basics, Hiroto Adachi 2. 스핀트로닉스에서 산업과 가장 연관이 되어있는 MR이라 하면 대표적으로 GMR과 TMR이 있을 것이다. 역사적으로 보면, GMR이 나온 후에 TMR이 나왔다. 하지만 대부분의 학생이 공부를 하는 순서는 STT-MRAM에 쓰이는 MTJ의 TMR을 먼저 학습 한 후에, spin valve에 쓰이는 GMR을 다음으로 배울 것이다. 이것이 GMR을 이해하는데 있어 큰 걸림돌이 되는 듯 하다. 오히려 더 헷갈리게 만들 수도 있다. 그러면 이제 GMR과 TMR을 학습하고자 한다. 그 중에서도, TMR을 우선적으로 볼 것이다. 1. Tunneling Magnetoresistance TMR은 Tunneling Magnetoresistance의 약자.. 2023. 8. 3.
Zero Bias Anomaly Zero bias anomaly는, MTJ의 voltage sweep 도중 $V_{bias}=0$인 부분에서 cusp가 발생하는 것으로, 이는 MgO를 통한 inelastic tunneling 도중 magnon 생성으로 인해 에너지를 잃어버릴 때 발생한다. 이론적으로 bias dependence는 이차함수 꼴의 포물선을 그리지만, magnon에 의한 scattering이 촉진되는 경우 아래 그림처럼 기이한 모양을 갖는다. 2023. 6. 26.
(작성중) 자기터널접합 (Magnetic Tunnel Junction) 참고문헌 Introduction to Magnetic Random Access Memory, Dieny ㅇㄹㄴㅇㄹㄴ 0. Introduction 13231 자기터널접합은 이름 그대로 자성과 터널링 현상을 나타내는 접합으로, 강자성체, 반강자성체, 부도체, 그리고 비자성금속(Capping layer)의 결합으로 이루어진다. 이에 대한 내용을 아래 보일 것이다. MTJ는 또한 또 다른 중요한 특징들을 갖는데, 높은 내구성, 낮은 전력소비, 빠른 스위칭속도가 그 예이며, 이러한 점들이 비휘발성 메모리소자, 또는 다른 응용분야에서 매력적이게 끔 보이게 한다. MTJ는 MRAM에서 가장 중요하고 근본적인 cell이다. 이는 높은 MR과 조절 가능한 RA product 때문이며 현재까지 널리 연구되어 왔다. 고체 .. 2023. 3. 14.

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