MTJ11 Partial Switching 보호되어 있는 글 입니다. 2024. 3. 21. Magnetic Tunnel Junction 보호되어 있는 글 입니다. 2024. 3. 5. Simulated Annealing (SA) 보호되어 있는 글 입니다. 2024. 1. 8. 자기저항 센서 보호되어 있는 글 입니다. 2024. 1. 3. Boltzmann Machine 보호되어 있는 글 입니다. 2023. 11. 13. 확률론적 컴퓨팅 (Probabilistic Computing) (작성중) 보호되어 있는 글 입니다. 2023. 10. 5. Spin-Torque Diode Effect 참조문헌 [1] Novel spintronic device concepts based on spin-gapless semiconductors and half-metallic magnets, THORSTEN UDO AULL [2] Tulapurkar, A. A. et al. Spin-torque diode effec in magnetic tunnel junctions. Nature 438, 339-342 (2005). [3] Ishibashi, S. et al. Large diode sensitivity of CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions. Appl. Phys. Exp. 3, 073001 (2010). 목차 I. Introduction II. Magnetic T.. 2023. 9. 19. GMR과 TMR의 차이 참조문헌 1. Back to basics, Hiroto Adachi 2. 스핀트로닉스에서 산업과 가장 연관이 되어있는 MR이라 하면 대표적으로 GMR과 TMR이 있을 것이다. 역사적으로 보면, GMR이 나온 후에 TMR이 나왔다. 하지만 대부분의 학생이 공부를 하는 순서는 STT-MRAM에 쓰이는 MTJ의 TMR을 먼저 학습 한 후에, spin valve에 쓰이는 GMR을 다음으로 배울 것이다. 이것이 GMR을 이해하는데 있어 큰 걸림돌이 되는 듯 하다. 오히려 더 헷갈리게 만들 수도 있다. 그러면 이제 GMR과 TMR을 학습하고자 한다. 그 중에서도, TMR을 우선적으로 볼 것이다. 1. Tunneling Magnetoresistance TMR은 Tunneling Magnetoresistance의 약자.. 2023. 8. 3. Zero Bias Anomaly Zero bias anomaly는, MTJ의 voltage sweep 도중 $V_{bias}=0$인 부분에서 cusp가 발생하는 것으로, 이는 MgO를 통한 inelastic tunneling 도중 magnon 생성으로 인해 에너지를 잃어버릴 때 발생한다. 이론적으로 bias dependence는 이차함수 꼴의 포물선을 그리지만, magnon에 의한 scattering이 촉진되는 경우 아래 그림처럼 기이한 모양을 갖는다. 2023. 6. 26. 이전 1 2 다음
