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반도체소자 공부목록 보호되어 있는 글 입니다. 2026. 5. 13.
Monolithic 3D Integration 참고문헌Batude et al., "Advances in 3D CMOS Sequential Integration", IEDM 2011Brunet et al., "Breakthroughs in 3D sequential technology", IEDM 2016 (CEA-Leti)Fenouillet-Beranger et al., "New Insights on Bottom Layer Thermal Stability", IEDM 2017imec, "Monolithic 3D Integration Roadmap", IRDS 2023Edelstein et al., "Ruthenium interconnects for advanced BEOL", IEDM 2020IRDS 2023 — More Moore chapter: 3.. 2026. 5. 13.
Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PE-ALD) Vanadium Nitride(NVx) PE-ALDVanadium Nitride는 FCC를 가지는 물질로, 낮은 resistivity와 높은 diffusion barrier 특성을 가지는 물질이다. 그렇기에 Cu와 dielectric 사이의 barrier 물질로 VN을 쓰고자 하는 관심이 높아지고 있다.VNx, CoNx, MoNx, Co, MoCx, Ru기존 TaN/Ta → ALD TaN + Co liner → ALD TaN + Ru liner → 궁극적으로 Ru single layer (barrier-less)최근에는 Ru-Co Binary Liner(RCBL)로 Cu void 87% 감소, line resistance 14% 감소를 달성한 연구도 나오고 있음. 2026. 5. 12.
(작성중) Ideal Dielectric Material for DRAM Capacitor DRAM이 세대를 거듭할수록, 셀 면적은 줄어들고 capacitor는 더 작은 공간에 더 많은 전하를 저장해야 한다. 기존에는 이 문제를 공정 기술로 해결할 수 있었다. 하지만 공정이 초미세화의 한계에 다다르면서 새로운 물질을 이용하여 이를 해결하고자 하는 노력이 증가하고 있다. 그 중심에 있는 것이 바로 high-k 유전체다. 차세대 DRAM capacitor용 소재가 되려면 세 가지 조건을 동시에 만족해야 한다:Higher-k: 작은 면적에서도 충분한 정전용량 확보Low leakage current: 데이터 retention을 위한 낮은 누설 전류Thin film (이 세 조건은 서로 충돌하는 경우가 많아, 단순히 좋은 소재를 찾는 문제가 아니라 trade-off를 어떻게 설계하느냐의 문제가 된다... 2026. 5. 12.
Thermal Migration in MTJ 참고문헌"Role of oxygen migration on the thermal stability of the PMA in bottom and top structures", APL Materials 10, 011101 (2022)[1]H. X. Yang et al., "First-principles investigation of the very large perpendicular magnetic anisotropy at Fe|MgO and Co|MgO interfaces," Phys. Rev. B 84, 054401 (2011).[2]S. Ikeda et al., "A perpendicular-anisotropy CoFeB–MgO magnetic tunnel junction," Nature Materia.. 2026. 5. 11.
ALD (Atomic Layer Deposition) 1. ALD(원자층 증착) 소개 및 기본 원리ALD는 CVD의 한 종류로, 원자층 단위로 박막을 증착하며 자기 제한적인 기체-고체 반응을 순차적으로 활용하여 박막을 증착한다. 각 단계마다 표면 반응이 스스로 멈추기 때문에 매우 정밀한 균일성과 두께 제어가 가능하다. 1.1. ALD의 정의 및 핵심 개념 ALD는 순차적인 자기 제한(self-limiting) 반응을 기반으로 하는 박막 증착 기술이다. 여기서 self-limiting 이란 표면에 도달한 반응물이 표면과 반응하여 더 이상 반응하지 않는 상태가 되는 것을 의미한다. 이는 화학적 흡착(chemisorption)이 포화 상태에 이르러 더 이상 반응이 일어나지 않는 것과 유사하다. 일반적인 화학 용어로는 포화(saturating)되고 비가역적(irr.. 2026. 4. 22.
Atomic Layer Etching 참고 문헌Overview of atomic layer etching in the semiconductor industry Keren J. Kanarik,a) Thorsten Lill, Eric A. Hudson, Saravanapriyan Sriraman, SamanthaKanarik, K. J.; Tan, S.; Gottscho, R. A. "Atomic Layer Etching: Rethinking the Art of Etch." J. Phys. Chem. Lett. 2018, 9 (16), 4814–4821. DOI: 10.1021/acs.jpclett.8b00997 1. Atomic Layer Etching의 원리Atomic Layer Etching (ALE)는 원자 단위의 정밀도로 물질을 제거.. 2026. 4. 20.
Physics Origin of Universal Unusual Magnetoresistance 이 새롭게 관측된 unusual magnetoresistance는 spin Hall magnetoresistance (SMR) 이론의 발전을 자극시켰다. SMR에서는 자성체의 계면에서 스핀 각 운동량의 흡수, 또는 반사가 발생하여 $\cos ^2 \beta$ 의존성의 저항 변화를 야기한다. 여기서 $\beta$는 자화 유닛벡터와 시편의 수직 방향의 상대적인 각도이다.현재까지, SMR 이론은 다양한 측정 (MR, ST-FMR, 2nd harmonic Hall voltage 등...)에서 HM, 자성층 bilayer 구조에서 UMR과 이와 수직한 대응파트 (planar Hall effect)를 해석하는데 사용됐다. 하지만 SMR 이론에는 한계가 있으며, 이는 스핀류 생성층의 spin Hall angle을 정.. 2025. 7. 15.
Magnetic Octupole Hall Effect Abstractd-wave altermagnets은 order parameters에 magnetic octupole이 존재한다. 우리는 이론적으로 외부에서 주입된 magnetic octupole이 d-wave altermanget에 토크를 가함을 보인다. 이 주입은 인접한 층에서의 magnetic octupole Hall efect를 통해 달성된다. 우리는 중금속 Pt에서 magnetic octupole Hall conductivity를 계산하고 spin Hall conductivity에 상응하는 거대한 값을 찾아냈다. d-파형 얼터자석(altermagnet)은 자기 옥텁극(magnetic octupole)을 질서 매개변수(order parameter)로 갖는다. 우리는 외부로부터 주입된 자기 옥텁극이.. 2025. 6. 9.

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