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6. Spin Current and Spin Dynamics 보호되어 있는 글 입니다. 2022. 5. 9.
5. Magnetization Switching and Field MRAMs 보호되어 있는 글 입니다. 2022. 4. 25.
3. Magnetic Thin Films 보호되어 있는 글 입니다. 2022. 4. 20.
Ch 5 Summary Furthermore, it has been recently demonstrated experimentally [39] and by micromagnetic simulations [40] that the 3T-MTJ devices can switch very fast, ~1 ns, below the “incubation delay” mentioned above. The fast switching of the 3T-MTJ devices is attributed to the role of the Oersted field (generated by the writing current) and/or any SHE-induced field-like effects in the evolution and reversal.. 2022. 2. 21.
5.6. Thermally Assisted MRAM(TA-MRAM) 보호되어 있는 글 입니다. 2022. 2. 21.
양자컴퓨터를 기다리시나요? 확률론적 컴퓨팅은 어떠신가요? 확률론적 컴퓨팅을 위한 MTJ의 물리적 접근법과 회로공학에 대한 내용은 확률론적 컴퓨팅(Probabilistic Computing)글을 참고해주세요. 참조문헌[1] PROBABILISTIC COMPUTING: FROM DEVICES TO SYSTEMS, Jan Kasier[2] Advanced Research into AI, Ising Computer, Masanao Yamaoka et al.[3] SPINTRONIC DEVICES AS P-BITS FOR PROBABILISTIC COMPUTING, Punyashloka Debashis[4] ON SPIN-INSPIRED REALIZATION OF QUANTUM AND PROBABILISTIC COMPUTING, Brian M. Sutton[5] EVA.. 2021. 12. 12.
6.4. Process Characterization 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 9. 30.
6.3. MRAM Process Integration 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 9. 29.
6.2. MRAM Back-End-of-Line Structures 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 9. 27.