분류 전체보기140 6.2. Models 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 6. 10. 대칭성 붕괴 (Symmetry Breaking) 해당 게시글은 Symmetry and Symmetry Breaking을 해석한 글입니다. Brading, Katherine, Elena Castellani, and Nicholas Teh, "Symmetry and Symmetry Breaking", The Stanford Encyclopedia of Philosophy (Fall 2021 Edition), Edward N. Zalta (ed.), Symmetry considerations은 현대의 물리학인 양자역학과 상대성이론을 지배하고있다. Philosophers are now beginning to devote increasing attention to such issues as the significance of gauge symmetry, qua.. 2021. 5. 29. 교환 상호작용 (Exchange interaction) 참조 문헌[1] Tomasz Dietl, EXHANGE INTERACTIONS: SUPER=EXCHANGE, DOUBLE EXCHANGE, RKKY; MAGNETIC ORDERS[2] 송희성, 양자역학1. Potential and Kinetic Exchange Interactions.스핀과 관련된 상호작용을 설명할 때 쌍극자-쌍극자 상호작용이 주된 이유가 되기에는 너무 약하다는 사실은 매우 잘 알려져있다.고체의 자기적 성질을 설명하는데는 두개의 스핀 교환 상호작용을 이용하면 매우 편하다.우선 Potential exchange를 살펴본다.Potential exchange는 Pauli의 배타원리에 기초한 교환 상호작용이다. 고전역학적으로 쿨롱력만을 고려하면, 전자는 모두 멀리 떨어져 자성체를 이루는 것을 선.. 2021. 5. 27. 6장. 질서와 대칭성붕괴 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 5. 25. (작성중) 위상부도체 (Topological insulator) 참고문헌The Birth of Topological Insulator (Joel E. Moore, 2010)스핀류와 위상학적 절연체Weak localization and weak anti-localization in topological insulators, Hai-Zhou Lu and Shun_Qing ShenSpin-Orbit Torques and Galvanomagnetic Effects Generated by the 3D Topological Insulator HgTeR. Winkler, Spin-Orbit Coupling Effects in Two-Dimensional Electron and Hole Systems.Springer Berlin Heidelberg, 2003.J. Chu and A.. 2021. 5. 24. DIBL (Drain-induced Barrier Lowering) DIBL은 Source와 Drain사이에 원치않은 전기적 상호작용이 발생하는 것을 뜻한다. DIBL이 발생할 수 있는 요소는 크게 3가지로 나눌 수 있다 MOSFET이 제대로 Scaling down 되지 않음 Drain/Source Junction이 너무 깊음 Channel Doping이 너무 낮음 이 DIBL은 다음의 상황을 야기한다. Punch-through Leakage (* Punch-through: Source와 Drain의 공핍영역이 서로 만나는 현상) Source/Drain 사이의 Breakdown Loss of Gate Control DIBL is caused by the lowering of the source-junction potential barrier below the built-.. 2021. 5. 18. Photolithography (노광공정) 노광공정은 크게 다음의 과정을 합친것을 총칭한다. Cleaning wafers → Depositing barrier layer → Coating with photoresist → Soft baking → Aligning masks → Exposing pattern → Developing photoresists → Hard baking → Etching → Removing photoreists(Developing) 이 과정을 하나씩 살펴본다. 1. Cleaning wafers 기본적으로 Hydrofluoric acid(불산), 혹은 DI Water(증류수)를 이용하여 세척한다. 2. Depositing barrier layer SiO2, Si3N4, metal, polysilicon, photoresist.. 2021. 5. 18. 11.3. Itinerant Electron Theory 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 5. 17. 8.1. Reversible and Irreversible Domain Processes 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 5. 17. 이전 1 ··· 11 12 13 14 15 16 다음
