분류 전체보기140 6.1. Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM) Basics 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 9. 27. 5.9. Conclusion 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 9. 23. 5.8. Comparison of MRAM with Other Nonvolatile Memory Technologies 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 9. 23. 5.5. Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM) 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 9. 6. 5.4. Field-Written MRAM (FIMS-MRAM) 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 8. 31. Bias Tee Bias Tee는 bias RF circuits에 DC전류 혹은 DC전압을 공급하기 위해 사용되는 component이다. Bias Tee는 3단자 소자이다. 소자의 구조는 위의 그림과 같다. Port1에 RF와 DC 모두 존재하는 신호가 들어면, Capacitor는 모든 DC 신호를 막으며 Port2에 오로지 AC/RF 신호만 통과할 수 있게 한다. 반면에 회로 안의 Inductor는 포트3으로 통과하려는 모든 RF 신호를 막으며, 오로지 DC 신호만 통과할 수 있게 만든다. 2021. 8. 25. Introduction to Electron Beam Lithography (EBL) 참고문헌[1] Encyclopedia of Nanotechnolgy[2] Nanofabrication Using Electron Beam Lithography: Novel Resist and Applications, Arwa Abbas[3] UC Berkeley Marvell Nanofabrication Laboratory[4] Process Optimization on Raith-150 TWO E-Beam Lithography Tool for sub-100nm CMOS device fabrication 0. DefinitionEBL은 패터닝을 하는데 있어 기존의 포토리소그래피 처럼 광자를 사용하는 것이 아니라, 전자를 사용하는 기법이다. EBL은 포토리소그래피와 여러면에서 유사점을 갖고 있으며, 아래.. 2021. 8. 25. 5.3. Read Function 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 8. 24. 5.2. Storage function: MRAM Retention 보호되어 있는 글 입니다. 2021. 8. 18. 이전 1 ··· 9 10 11 12 13 14 15 16 다음
