분류 전체보기139 7.0) Angular Momentum 보호되어 있는 글 입니다. 2023. 9. 20. Spin-Torque Diode Effect 참조문헌 [1] Novel spintronic device concepts based on spin-gapless semiconductors and half-metallic magnets, THORSTEN UDO AULL [2] Tulapurkar, A. A. et al. Spin-torque diode effec in magnetic tunnel junctions. Nature 438, 339-342 (2005). [3] Ishibashi, S. et al. Large diode sensitivity of CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions. Appl. Phys. Exp. 3, 073001 (2010). 목차 I. Introduction II. Magnetic T.. 2023. 9. 19. 11.1) Magnetic Vector Potential 보호되어 있는 글 입니다. 2023. 9. 19. 양자얽힘 (Density Operator로 보는 Quantum Entanglement) 보호되어 있는 글 입니다. 2023. 8. 23. 4f orbital electrons 4f electrons: high spin orbit coupling → high anisotropy → foundation of coercivity 2023. 8. 17. Exchange Stiffness Constants 참고문헌 [1] 스핀류와 위상학적 절연체, 사이토 에이지, 무라카미 슈이치, 김갑진 [2] Exchange stiffness of ferromagnets, M. D. Kuz’Min, K. P. Skokov, L. V. B. Diop, I. A. Radulov, O. Gutfleisch 강자성체 내부에 있는 스핀에 대한 정량적인 분석은 각각의 스핀을 모두 고려했을 때 완벽해질 것이다. 하지만 이는 현실적으로 불가능하다. 아마 양자컴퓨터가 상용화된 미래에나 모든 스핀을 고려한 정량분석이 가능할 것이다. 현실적으로는 approximation을 통한 분석법이 그나마 가능할 것이다. 이처럼 각각의 전자의 spin들을 continnum approximation 했을 때 자화 항 앞에 붙는 계수를 바로 Exchang.. 2023. 8. 17. GMR과 TMR의 차이 참조문헌 1. Back to basics, Hiroto Adachi 2. 스핀트로닉스에서 산업과 가장 연관이 되어있는 MR이라 하면 대표적으로 GMR과 TMR이 있을 것이다. 역사적으로 보면, GMR이 나온 후에 TMR이 나왔다. 하지만 대부분의 학생이 공부를 하는 순서는 STT-MRAM에 쓰이는 MTJ의 TMR을 먼저 학습 한 후에, spin valve에 쓰이는 GMR을 다음으로 배울 것이다. 이것이 GMR을 이해하는데 있어 큰 걸림돌이 되는 듯 하다. 오히려 더 헷갈리게 만들 수도 있다. 그러면 이제 GMR과 TMR을 학습하고자 한다. 그 중에서도, TMR을 우선적으로 볼 것이다. 1. Tunneling Magnetoresistance TMR은 Tunneling Magnetoresistance의 약자.. 2023. 8. 3. Avoided Crossing Avoided Crossing, 다른 말로 anti-crossing 또는 dispersion relation 이라고도 불리는 이 용어는, 서로 다른 두 state간에 interaction이 존재하는 경우, ~~~~~가 바뀌는 현상이다. 예를 들어 light-matter interaction을 polariton이라 하는데, 이는 photon과 다른 물리적 단위가 interaction 할 때 나타나는 state이다. Photon과 Phonon이 interaction 하는 경우 이를 phonon-polariton이라 하며, Photon과 Magnon이 interaction하는 경우 이를 Magnon-polarition이라 한다. https://en.wikipedia.org/wiki/Avoided_crossin.. 2023. 7. 17. unconventional nanopatterning method unconventional nanopatterning methods for cost-effective and simple integration of STTMRAM for high-density memory arrays the deposition of pMTJ stack (i) on pre-patterned non magnetic conducting nano-pillars with undercut and (ii) in pre-patterned nano-holes with collimator structure. The first method consists in depositing the MTJ stacks on pre-patterned non-magnetic conducting pillars with un.. 2023. 6. 27. 이전 1 2 3 4 5 6 7 8 ··· 16 다음
