Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PE-ALD)

Vanadium Nitride(NVx) PE-ALD

Vanadium Nitride는 FCC를 가지는 물질로, 낮은 resistivity와 높은 diffusion barrier 특성을 가지는 물질이다. 그렇기에 Cu와 dielectric 사이의 barrier 물질로 VN을 쓰고자 하는 관심이 높아지고 있다.

VNx, CoNx, MoNx, Co, MoCx, Ru

기존 TaN/Ta → ALD TaN + Co liner → ALD TaN + Ru liner → 궁극적으로 Ru single layer (barrier-less)

최근에는 Ru-Co Binary Liner(RCBL)로 Cu void 87% 감소, line resistance 14% 감소를 달성한 연구도 나오고 있음.